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参数资料
| 型号： | NTMS5P02R2SG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 380mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS5P02R2SGOSCT |
NTMS5P02, NVMS5P02
4000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
? V DS
QT
? V GS
20
16
3000
C rss
3
Q1
Q2
12
2000
1000
C iss
C oss
2
1
I D = ? 5.4 A
T J = 25 ° C
8
4
0
10
5
C rss
0
5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
20
24
0
1000
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
100
V DD = ? 16 V
I D = ? 5.4 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
t r
5
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
t d(on)
1
10
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10
di/dt
10 ms
I S
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
t a
t rr
t b
TIME
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT dc
1 10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
100
t p
I S
0.25 I S
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMSD2P102LR2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FETKY? |
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