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参数资料
| 型号： | NTMS7N03R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS7N03R2OS |
NTMS7N03R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Notes 5 and 7)
V (BR)DSS
Vdc
(V GS = 0 Vdc, I D = 0.25 mAdc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
I DSS
30
?
?
?
?
41
0.02
?
?
?
1.0
10
mV/ ° C
m Adc
Gate?Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0)
I GSS
?
?
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage (Note 5)
V GS(th)
Vdc
(V DS = V GS , I D = 0.25 mAdc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain?to?Source On?Resistance (Notes 5 and 7)
(V GS = 10 Vdc, I D = 7.0 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 3.5 Adc)
R DS(on)
1.0
?
?
?
1.6
4.0
18.6
23.5
3.0
?
23
28
mV/ ° C
m W
Drain?to?Source On?Voltage (V GS = 10 Vdc, I D = 5.0 Adc) (Notes 5 and 7)
Forward Transconductance (V DS = 15 Vdc, I D = 2.0 Adc) (Note 5)
V DS(on)
g FS
?
3.0
93
13
115
?
mV
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1064
1190
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
300
94
490
120
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
15
30
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 10 Vdc, I D = 5.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc,
R G = 9.1 W ) (Note 5)
(V DD = 10 Vdc, I D = 5.0 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 9.1 W ) (Note 5)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
71
27
38
8.0
38
33
49
185
70
80
?
?
?
Gate Charge
(V DS = 16 Vdc, I D = 5.0 Adc,
V GS = 10 Vdc) (Note 5)
Q T
Q 1
Q 2
Q 3
?
?
?
?
26
3.1
6.0
5.5
43
?
?
?
nC
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage (Note 5)
(I S = 7.0 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 5)
V SD
?
0.82
1.1
Vdc
(I S = 7.0 Adc, V GS = 0 Vdc,
T J = 125 ° C)
?
0.67
?
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 7.0 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 5)
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
27
15
11.5
0.02
?
?
?
?
ns
m C
5. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
7. Reflects Typical Values.
Cpk +
Max limit * Typ
3 S
http://onsemi.com
3
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