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参数资料
| 型号： | NTMS7N03R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS7N03R2OS |
NTMS7N03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
18
16
V GS = 10 V
8V
3.6 V
3.8 V
4V
T J = 25 ° C
3.4 V
10
9
8
V DS = 10 V
14
12
10
7V
6V
5V
4.6 V
3.2 V
7
6
5
8
6
4
2
2.4 V
3V
2.8 V
4
3
2
1
T J = 100 ° C
25 ° C
?55 ° C
0
0
0
0.1 0.2 0.3
0.4 0.5
0.6 0.7
0.8 0.9
1
0
0.5 1
1.5
2
2.5 3
3.5
0.6
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.05
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.5
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0.04
T J = 25 ° C
0.4
0.03
0.3
V GS = 4.5 V
0.2
0.1
0
0.02
0.01
0
10 V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
2
1.5
1
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?To?Source Voltage
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
1000
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
10
0.5
0
1
?5
?2
0 25 50 75 100 125
150
0
10
20
30
0
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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