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参数资料
| 型号： | NTMS7N03R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS7N03R2OS |
NTMS7N03R2
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC?8
CASE 751?07
ISSUE AF
NOTES:
?X?
8
A
5
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
?Y?
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
K
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 751?01 THRU 751?06 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 751?07.
G
DIM
MILLIMETERS
MIN MAX
INCHES
MIN MAX
?Z?
C
SEATING
PLANE
N
X 45 _
A
B
C
D
G
4.80 5.00
3.80 4.00
1.35 1.75
0.33 0.51
1.27 BSC
0.189 0.197
0.150 0.157
0.053 0.069
0.013 0.020
0.050 BSC
H
D
0.25 (0.010)
M
Z Y
S
X
S
0.10 (0.004)
M
J
H
J
K
M
N
S
0.10 0.25
0.19 0.25
0.40 1.27
0 _ 8 _
0.25 0.50
5.80 6.20
0.004 0.010
0.007 0.010
0.016 0.050
0 _ 8 _
0.010 0.020
0.228 0.244
STYLE 13:
SOLDERING FOOTPRINT*
1.52
0.060
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
N.C.
SOURCE
SOURCE
GATE
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DRAIN
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.270
0.050
SCALE 6:1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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