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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2OS |
NTMSD2P102LR2
SCHOTTKY MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Rating
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Forward Current (Note 5)
(Rated V R , T A = 100 ° C)
Peak Repetitive Forward Current
(Note 5) (Rated V R , Square Wave, 20 kHz, T A = 105 ° C)
Non?Repetitive Peak Surge Current (Note 5)
Symbol
V RRM
V R
I O
I FRM
I FSM
Value
20
1.0
2.0
20
Unit
V
A
A
A
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Half?Wave, Single Phase, 60 Hz)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted) (Note 6)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = ?250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = ?16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 25 ° C)
(V DS = ?16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = ?20 Vdc, T J = 25 ° C)
V (BR)DSS
I DSS
I DSS
?20
?
?
?
?
?
?12.7
?
?
?
?
?
?1.0
?25
?2.0
Vdc
mV/ ° C
m Adc
m Adc
Gate?Body Leakage Current
I GSS
nAdc
(V GS = ?10 Vdc, V DS = 0 Vdc)
Gate?Body Leakage Current
(V GS = +10 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
?
?
?100
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ?250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
?0.5
?
?0.90
2.5
?1.5
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?State Resistance
R DS(on)
W
(V GS = ?4.5 Vdc, I D = ?2.4 Adc)
(V GS = ?2.7 Vdc, I D = ?1.2 Adc)
(V GS = ?2.5 Vdc, I D = ?1.2 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = ?10 Vdc, I D = ?1.2 Adc)
g FS
?
?
?
?
0.070
0.100
0.110
4.2
0.090
0.130
0.150
?
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
550
750
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ?16 Vdc, V GS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
200
100
300
175
5. Mounted onto a 2 ″ square FR?4 Board (1 ″ sq. 2 oz Cu 0.06 ″ thick single sided), t ≤ 10 seconds.
6. Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory.
http://onsemi.com
2
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