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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2OS |
NTMSD2P102LR2
4
5
V GS = ?2.1 V
T J = 25 ° C
V DS > = ?10 V
3
V GS = ?10 V
V GS = ?4.5 V
V GS = ?2.5 V
V GS = ?1.9 V
4
3
2
1
V GS = ?1.7 V
2
T J = 25 ° C
0
V GS = ?1.5 V
1
0
T J = 100 ° C
T J = 55 ° C
0
2
4
6
8
10
1
1.5
2
2.5
3
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics.
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics.
0.2
0.15
T J = 25 ° C
0.12
0.1
T J = 25 ° C
V GS = ?2.7 V
0.1
0.05
0
0.08
0.06
0.04
V GS = ?4.5 V
2
4
6
8
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
?V GS, GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage.
1000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage.
1.4
I D = ?2.4 A
V GS = ?4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
1.2
1
0.8
0.6
10
1
0.1
0.01
T J = 25 ° C
?50
?25
0 25
50
75
100
125
150
0
4 8 12 16
20
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature.
http://onsemi.com
4
?V DS, DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTMSD2P102R2SG | 功能描述:MOSFET FETKY 20V.150R LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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