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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2OS |
NTMSD2P102LR2
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
Normalized to R ? ja at Steady State (1 inch pad)
0.0125 W 0.0563 W 0.110 W 0.273 W 0.113 W
0.436 W
0.05
0.02
0.01
0.021 F
0.137 F
1.15 F
2.93 F
152 F
261 F
Single Pulse
0.01
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+03
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
T J = 125 ° C
1.0
T J = 125 ° C
85 ° C
25 ° C
1.0
85 ° C
25 ° C
?40 °
C
0.1
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS
FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEM10DSEI-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| NTMSD6N303R2 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| NTMSD3P102R2 | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| NTMS3P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| NTB75N03L09T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD2P102LR2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FETKY? |
| NTMSD2P102LR2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NTMSD2P102LR2 |
| NTMSD2P102LR2G | 功能描述:MOSFET 20V 3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD2P102R2 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTMSD2P102R2SG | 功能描述:MOSFET FETKY 20V.150R LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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