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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2OS |
NTMSD2P102LR2
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1E?2
1E?1
1E?3
T J = 125 ° C
1E?2
T J = 125 ° C
85 ° C
1E?4
1E?5
1E?6
1E?7
25 ° C
1E?3
1E?4
1E?5
1E?6
25 ° C
0
5.0
10
15
20
0
5.0
10
15
20
1000
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Typical Reverse Current
1.6
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Maximum Reverse Current
100
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 170 pF
1.4
1.2
1.0
0.8
dc
SQUARE WAVE
I pk /I o = p
I pk /I o = 5.0
FREQ = 20 kHz
0.6
I pk /I o = 10
0.4
0.2
I pk /I o = 20
10
0
0
5.0
10
15
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Typical Capacitance
0.7
SQUARE
dc
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 19. Current Derating
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I pk /I o = p
I pk /I o = 5.0
I pk /I o = 10
I pk /I o = 20
WAVE
0
0.5
1.0
1.5
2.0
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 20. Forward Power Dissipation
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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