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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2OS |
NTMSD2P102LR2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted) (continued) (Note 7)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 8 & 9)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
10
20
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ?10 Vdc, I D = ?2.4 Adc,
V GS = ?4.5 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
35
33
29
65
60
55
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
15
?
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ?10 Vdc, I D = ?1.2 Adc,
V GS = ?2.7 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
40
35
35
?
?
?
Total Gate Charge
Q tot
?
10
18
nC
Gate?Source Charge
Gate?Drain Charge
(V DS = ?16 Vdc, V GS = ?4.5 Vdc,
I D = ?2.4 Adc)
Q gs
Q gd
?
?
1.5
5.0
?
?
BODY?DRAIN DIODE RATINGS (Note 8)
Diode Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = ?2.4 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = ?2.4 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = ?2.4 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
?
?
?
?
?0.88
?0.75
37
16
?1.0
?
?
?
Vdc
ns
t b
?
21
?
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
?
0.025
?
m C
SCHOTTKY RECTIFIER ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted) (Note 8)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
Maximum Instantaneous Reverse Current
I F = 1.0 Adc
I F = 2.0 Adc
V R = 20 Vdc
V F
I R
T J = 25 ° C
0.47
0.58
T J = 25 ° C
0.05
T J = 125 ° C
0.39
0.53
T J = 125 ° C
10
V
mA
Maximum Voltage Rate of Change
V R = 20 Vdc
dV/dt
10,000
V/ m s
7. Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory.
8. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
9. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
3
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