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参数资料
| 型号： | NTQS6463R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTQS6463R2OS |
NTQS6463
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
STATIC
Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , I D = ?250 μ A)
Gate?Body Leakage (V GS = 0 V, V GS = ± 8 V)
V GS(th)
I GSS
?0.45
?
?0.9
?
?
± 100
V
nA
Zero Gate Threshold Voltage Drain Current
I DSS
μΑ
(V DS = ?16 V, V GS = 0 V)
(V DS = ?16 V, V GS = 0 V, T J = 70 _ C)
Drain?Source On?State Resistance (Note 4)
(V GS = ?4.5 V, I D = ?6.8 A)
(V GS = ?2.5 V, I D = ?5.5 A)
R DS(on)
?
?
?
?
?
?
0.016
0.022
?1.0
?10
0.020
0.027
?
Forward Transconductance (V DS = ?15 V, I D = ?6.8 A) (Note 4)
Diode Forward Voltage (I S = ?1.3 A, V GS = 0 V) (Note 4)
g FS
V SD
?
?
21
?0.71
?
?1.1
S
V
DYNAMIC
Total Gate Charge
Gate?Source Charge
Gate?Drain Charge
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Source?Drain Reverse Recovery Time
(V DS = ?10 V,
V GS = ?5.0 V,
I D = ?6.8 A)
(V DD = ?10 V,
I D ? ?1.0 A,
V GS = ?4.5 V,
R G = 6.0 ? )
(I F = ?1.3 A, di/dt = 100 A/ μ s)
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t rr
?
?
?
?
?
?
?
?
28
5.5
9.0
15
22
90
53
45
50
?
?
25
40
150
90
80
nC
ns
ns
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μ s, Duty Cycle ≤ 2%.
http://onsemi.com
2
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