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参数资料
| 型号： | NTR4503NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4503N, NVTR4503N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
15
C iss
V DS
200
C rss
10
Q G
V GS
10
100
5
Q GS
Q GD
5
C oss
I D = 2.5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
30
0
0
1 2 3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 24 V
I D = 2.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t d(on)
t r
1
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR50A1000BTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2512 100 OHM 0.05% 1/2W 10PPM/ C SMD - Tape and Reel |
| NTR50A1000CTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2512 100 OHM 0.05% 1/2W 25PPM/ C SMD - Tape and Reel |
| NTR50A1000DTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2512 100 OHM 0.05% 1/2W 50PPM/ C SMD - Tape and Reel |
| NTR50A1001BTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2512 1K OHM 0.05% 1/2W 10PPM/ C SMD - Tape and Reel |
| NTR50A1001CTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2512 1K OHM 0.05% 1/2W 25PPM/ C SMD - Tape and Reel |
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