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参数资料
| 型号： | NTS4101PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 329mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTS4101P
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T J =25 ° C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 20
? 24.5
? 13.7
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = ? 16 V
T J = 25 ° C
T J = 70 ° C
? 1.0
? 5.0
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 8 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
? 0.45
? 0.64
? 1.5
V
Negative Threshold
Temperature Coefficient
V GS(TH) /T J
2.7
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 1.0 A
83
120
m W
V GS = ? 3.6 V, I D = ? 0.7 A
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 0.3 A
88
104
130
160
Forward Transconductance
G FS
V DS = ? 5.0 V, I D = ? 1.3 A
5.2
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
C ISS
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 20 V
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 4.5 V,
I D = ? 1.0 A
603
90
62
6.4
0.7
840
125
85
9.0
pF
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Q GS
Q GD
1.0
1.5
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 4.0 V,
I D = ? 1.0 A, R G = 6.2 W
6.2
14.9
26
18
12
25
40
30
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ? 0.3 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 0.61
? 0.5
? 1.2
V
Reverse Recovery Time
Charge Time
t RR
T a
V GS = 0 V, dI SD /dt = 100 A/ m s,
I S = ? 1.0 A
10.9
7.1
20
ns
Discharge Time
T b
3.8
Reverse Recovery Charge
Q RR
4.25
nC
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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