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参数资料
| 型号： | NTS4101PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 329mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTS4101P
TYPICAL CHARACTERISTICS
6
6
5
4
3
V GS = ? 4.5 V
? 3.5 V
? 3.0 V
? 2.5 V
? 2.2 V
? 2.0 V
T J = 25 ° C
? 1.8 V
? 1.6 V
5
4
3
V DS w ? 10 V
2
? 1.4 V
2
1
? 1.2 V
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
? 1.0 V
8
0
0
0.4
0.8
1.2
T J = ? 55 ° C
1.6
2.0
2.4
0.16
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = ? 4.5 V
0.16
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ? 3.6 V
0.12
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.12
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.04
T J = ? 55 ° C
0.04
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.5
1.3
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
1000
800
C ISS
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
600
1.1
400
0.9
200
C OSS
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
C RSS
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Capacitance Variation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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