- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTS4172NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTS4172NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 93 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.38nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 381pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 294mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTS4172N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.5
2.0
2.0 V
10 V
2.5 V
4.5 V
T J = 25 ° C
1.8 V
3.5
3.0
2.5
V DS ≥ 10 V
1.5
1.7 V
2.0
T J = ? 55 ° C
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.6 V
1.5 V
V GS = 1.4 V
2.5 3.0
1.5
T J = 125 ° C
1.0
T J = 25 ° C
0.5
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.10
I D = 1.7 A
T J = 25 ° C
0.10
0.09
0.08
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.07
V GS = 4.5 V
0.08
0.06
0.05
V GS = 10 V
0.06
0.04
0.04
0.03
0.02
0.01
0.02
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 1.7 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.0
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTS4173PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 |
| NTS4409NT1G | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 |
| NTTD1P02R2G | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTS4173P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −1.3 A, Single P−Channel, SC−70 |
| NTS4173PT1G | 功能描述:MOSFET PFET SC70 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTS4409N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 25 V, 0.75 A, Single, N−Channel, ESD Protection, SC−70/SOT−323 |
| NTS4409NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| N-TS48 | 功能描述:烙铁 Nozzle TSOP-48 Pin OTHER REWORK RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。