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参数资料
| 型号： | NTS4172NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 93 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.38nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 381pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 294mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTS4172N
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
300
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Q gs
Q gd
QT
200
100
0
0
C rss
2
C oss
4 6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
1.5
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
I D = 1.7 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 1.7 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
1.5
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t r
t d(on)
0.5
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTS4173PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 |
| NTS4409NT1G | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 |
| NTTD1P02R2G | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTS4173P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −1.3 A, Single P−Channel, SC−70 |
| NTS4173PT1G | 功能描述:MOSFET PFET SC70 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTS4409N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 25 V, 0.75 A, Single, N−Channel, ESD Protection, SC−70/SOT−323 |
| NTS4409NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V/8V 75mA 350 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| N-TS48 | 功能描述:烙铁 Nozzle TSOP-48 Pin OTHER REWORK RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included |
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