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参数资料
| 型号： | NTZD5110NT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 294mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24.5pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTZD5110N
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
C iss
5
T J = 25 ° C
20
T J = 25 ° C
4
3
I D = 0.2 A
C oss
V GS = 0 V
2
10
1
0
C rss
0
0
4
8
12
16
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
10
V GS = 0 V
1
0.1
0.01
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
ORDERING INFORMATION
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT5G
Device
Package
SOT?563
(Pb?Free)
SOT?563
Shipping
4000 / Tape & Reel
8000 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Spe-
cifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NT-ZJCAT1-EV4S | 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:NTST V4.7 SOFTWARE UPGRADE 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:NTST v4.7 Software Upgrade |
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