参数资料
| 型号： | NUS3116MTR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x3） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUS3116MTR2GOSCT |
NUS3116MT
TYPICAL CHARACTERISTICS - MOSFET
6
5
-1.7 - -8.0 V
-1.6 V
-1.5 V
6
5
V DS ≥ -10 V
T J = 25 ° C
4
4
3
V GS = -1.4 V
3
T J = 100 ° C
T J = -55 ° C
2
1
2
1
0
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1.0
1.5
2.0
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Region Characteristics
-V GS , GATE-T O-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
0.05
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
0.05
T J = 25 ° C
V GS = -2.5 V
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0.04
0.03
0.02
V GS = -4.5 V
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current
I D = -3 A
10,000
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 6. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = -4.5 V
T J = 150 ° C
1.2
1,000
1.0
0.8
0.6
100
T J = 100 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
5
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NX1117C33Z,115 | IC REG LDO 3.3V 1A SOT-223 |
| O/B+BOX | CONN WIRENUT 12-22AWG ORANGE/BLU |
| OCP-PCP116-TR | OPTOCOUPLER DIGITAL OUTPUT SMD |
| OCP-PCP116 | OPTOCOUPLER DIGITAL OUTPUT 6-DIP |
| OCP-PCT114/C | PHOTOCOUP 1-CH TRANSOUT 4DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS5530MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor |
| NUS5530MNR2G | 功能描述:MOSFET INTEGRATED POWER BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS5531MT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT |
| NUS5531MTR2G | 功能描述:MOSFET 12V PFET W 20V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS6160MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
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