参数资料
| 型号： | NUS3116MTR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x3） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUS3116MTR2GOSCT |
NUS3116MT
TYPICAL CHARACTERISTICS - MOSFET
2800
V DS = 0 V
2400 C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
5
V DS
Q T
12
10
2000
4
8
1600
C iss
3
V GS
6
1200
800
400
C rss
C oss
2
1
Q gs
Q gd
I D = -3 A
T J = 25 ° C
4
2
0
0
0
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
-V GS
-V DS
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-T O-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Variation
1,000
Figure 10. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
10
100
V DD = -12 V
I D = -3.0 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
t r
T J = 150 ° C
T J = -55 ° C
10
1
t d(on)
0.1
0.01
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 11. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
Single Pulse
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 12. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
100 m s
1 ms
10 ms
dc
Mounted on 2 ″ sq.
FR4 board (0.5 ″ sq.
2 oz. Cu single
sided) with MOSFET
die operating.
Package Limit
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS5530MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor |
| NUS5530MNR2G | 功能描述:MOSFET INTEGRATED POWER BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS5531MT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT |
| NUS5531MTR2G | 功能描述:MOSFET 12V PFET W 20V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS6160MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
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