参数资料
| 型号： | NUS3116MTR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（3x3） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUS3116MTR2GOSCT |
NUS3116MT
TYPICAL CHARACTERISTICS - BJT
0.60
0.60
0.55
T J = 25 ° C
IC/IB = 100
0.55
IC/IB = 100
-55 ° C
25 ° C
0.50
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.45
0.40
0.35
0.30
150 ° C
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
IC/IB = 10
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
725
I C , COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 15. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
1.0
I C , COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 16. Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
675
625
575
525
150 ° C (2.0 V)
0.9
0.8
IC/IB = 100
-55 ° C
25 ° C
475
0.7
425
375
325
275
225
175
125
75
25 ° C (2.0 V)
-55 ° C (2.0 V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
150 ° C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
1.0
I C , COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 17. DC Current Gain vs. Collector
Current
1.0
I C , COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 18. Base Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
0.9
0.8
0.7
V CE = -1.0 V
-55 ° C
25 ° C
0.8
0.6
10 mA
100 mA 300 mA
500 mA
0.6
0.5
0.4
0.4
0.3
0.2
150 ° C
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I C , COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 19. Base Emitter Turn-On Voltage vs.
Collector Current
http://onsemi.com
8
I B , BASE CURRENT (mA)
Figure 20. Saturation Region
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NX1117C33Z,115 | IC REG LDO 3.3V 1A SOT-223 |
| O/B+BOX | CONN WIRENUT 12-22AWG ORANGE/BLU |
| OCP-PCP116-TR | OPTOCOUPLER DIGITAL OUTPUT SMD |
| OCP-PCP116 | OPTOCOUPLER DIGITAL OUTPUT 6-DIP |
| OCP-PCT114/C | PHOTOCOUP 1-CH TRANSOUT 4DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS5530MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor |
| NUS5530MNR2G | 功能描述:MOSFET INTEGRATED POWER BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS5531MT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT |
| NUS5531MTR2G | 功能描述:MOSFET 12V PFET W 20V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUS6160MN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
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