参数资料
| 型号： | OPENLPPOL-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL OPEN-LOOP POL |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，电流感应 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | Si8410，Si8512，Si8540 |
| 主要属性： | 单相 POL，100 ~ 500 kHz 切换频率 |
| 次要属性： | 20 ~ 80% 可变占空比 |
| 已供物品： | 板 |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1919 |
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Si85xx
Table 7. Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
SOIC-20
4x4 mm
Unit
QFN
IC Junction-to-Air Thermal Resistance
? JA
85
55
°C/W
40
VDD = 5.5 V
30
20
10
0
IIN to IOUT = 20 Amps
0
50
100
150
200
Case Temperature (oC)
Figure 1. SOIC-20 Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values
with Case Temperature per DIN EN 60747-5-2
Table 8. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Storage temperature
Ambient temperature under bias
Junction Temperature
Supply voltage
Voltage on any pin with respect to ground
Symbol
T STG
T A
T J
V DD
V IN
Min
–65
–40
—
—
–0.5
Typ
—
—
—
—
—
Max
+150
+125
150
5.75
VDD + 0.5
Units
°C
°C
°C
V
V
(not including IIN, IOUT)
Output Current Drive
Lead solder temperature (10 s)
Maximum Input Current Rate of Change
Maximum Peak AC Input Current Limit
Thermal Limit (DC Current) 2
Maximum Isolation Voltage (QFN)
Maximum Isolation Voltage (SOIC-20)
ESD (CDM)
ESD (HBM)
ESD (MM)
L O
JEDEC (JESD22-C101C)
JEDEC (JESD22-A114E)
JEDEC (JESD22-A115A)
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
–2500
–250
—
—
—
—
—
—
—
10
260
1000
200
30
1400
6000
+1.5
+2500
+ 250
mA
oC
A/μs
A
A
V RMS
V RMS
kV
V
V
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation should be
restricted to conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2. Refer to “AN329: Extending the Full-Scale Range of the Si85xx” for more information.
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Preliminary Rev. 0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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