收藏本站
参数资料
型号： PSD835G2V-C-12M
厂商： 意法半导体
英文描述： Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
中文描述： 在8片位微控制器可配置存储系统
文件页数： 97/110页
文件大小： 570K
代理商： PSD835G2V-C-12M
PSD8XX Family
PSD835G2
86
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCC
Supply Voltage
All Speeds
3.0
3.6
V
VIH
High Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
.7 VCC
VCC +.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
–.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
.8 VCC
VCC +.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–.5
.2 VCC –.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC Min for Flash Erase and Program
1.5
2.3
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20 A, VCC = 3.0 V
0.01
0.1
V
IOL = 4 mA, VCC = 3.0 V
0.15
0.45
V
VOH
Output High Voltage Except VSTBY On
IOH = –20 A, VCC = 3.0 V
2.9
2.99
V
IOH = –1 mA, VCC = 3.0 V
2.7
2.8
V
VOH
1
Output High Voltage VSTBY On
IOH
1
= 1 A
VSBY – 0.8
V
VSBY
SRAM Standby Voltage
2.0
VCC
V
ISBY
SRAM Standby Current (VSTBY Pin)
VCC = 0 V
0.5
1
A
IIDLE
Idle Current (VSTBY Pin)
VCC > VSBY
–0.1
0.1
A
VDF
SRAM Data Retention Voltage
Only on VSTBY
2V
ISB
Standby Supply Current
CSI >VCC –0.3 V
50
100
A
for Power Down Mode
(Notes 2 and 3)
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VIN < VCC
–10
± 5
10
A
IO
Output Current
Refer to IOL and IOH in
the VOL and VOH row
ZPLD_TURBO = OFF,
f = 0 MHz (Note 3)
0mA
PLD Only
ZPLD_TURBO = ON,
ICC (DC)
Operating
f = 0 MHz
200
400
A/PT
(Note 5)
Supply Current
During FLASH
FLASH
Write/Erase Only
10
25
mA
Read Only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
PLD AC Base
(Note 4)
Figure 32a
ICC (AC)
FLASH
(Note 5)
AC Adder
1.5
2.0
mA/MHz
SRAM AC Adder
0.8
1.5
mA/MHz
PSD835G2 DC Characteristics (3.0 V to 3.6 V Versions) Advance Information
NOTES: 1. Reset input has hysteresis. VIL1 is valid at or below .2VCC –.1. VIH1 is valid at or above .8VCC.
2. CSI deselected or internal PD mode is active.
3. PLD is in non-turbo mode and none of the inputs are switching.
4. Refer to Figure 31a for PLD current calculation.
5. IO = 0 mA.
相关PDF资料
PDF描述
PSD835G2V-C-12JI Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2V-C-12J Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2V-C-70B81I Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2V-C-70J Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
PSD835G2V-C-70JI Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相关代理商/技术参数
参数描述
PSD853F2-70J 功能描述:SPLD - 简单可编程逻辑器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 逻辑系列:TICPAL22V10Z 大电池数量:10 最大工作频率:66 MHz 延迟时间:25 ns 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V 电源电流:100 uA 最大工作温度:+ 75 C 最小工作温度:0 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DIP-24
PSD853F2-70M 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
PSD853F2-90J 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
PSD853F2-90JI 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
PSD853F2-90M 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*