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参数资料
| 型号： | QS6K21TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6K21TRDKR |
QS6K21
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *5
t r *5
t d(off) *5
t f *5
Conditions
V GS = 0V
V DS = 10V
f = 1MHz
V DD ? 25V, V GS = 4.5V
I D = 0.5A
R L = 50 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
95
20
10
6
8
16
7
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Q g
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Symbol
*5
Q gs *5
Q gd *5
Conditions
V DD ? 25V, I D =1A
V GS = 4.5V
Min.
-
-
-
Values
Typ.
1.5
0.4
0.4
Max.
2.1
-
-
Unit
nC
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Forward voltage
Symbol
I S *1
V SD *5
Conditions
T a = 25°C
V GS = 0V, I s = 0.8A
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
0.8
1.2
Unit
A
V
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/11
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| QS6M3_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
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| QS6M4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
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