参数资料
型号: QS6K21TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QS6K21TRDKR
QS6K21
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
10000
T a =25oC
Pulsed
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
600
550
500
450
400
1000
V GS = 2.5V
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
350
300
250
200
150
100
0.01
0.1
1
10
100
50
0
-50 -25
0
25
50
75
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
Pulsed
100 125 150
Drain Current : I D [A]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
10000
V GS = 4.5V
Pulsed
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.16 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(III)
10000
V GS = 4.0V
Pulsed
1000
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
1000
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
100
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
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