参数资料
型号: QS6K21TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 4/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QS6K21TRDKR
QS6K21
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
120
100
10
Operation in this area
is limited by R DS (on)
(V GS = 4.5V)
P W = 100 m s
P W = 1ms
80
60
1
P W = 10ms
40
20
0.1
DC Operation
T a =25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1
10
100
Junction Temperature : T j [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maximum
Power dissipation
10
T a =25oC
Single Pulse
1000
T a =25oC
Single Pulse
1
100
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
bottom Single
Rth(ch-a)=139oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1 100
10
1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
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