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参数资料
| 型号： | QS8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS8K2TRDKR QS8K2TRDKR-ND |
QS8K2
l Dimensions (Unit : mm)
D
TSMT8
A
c
Data Sheet
e
b
x
S A
e
S
y S
b2
Pattern of terminal position areas
[Not a recommended pattern of soldering pads]
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
H E
L
L1
Lp
Lp1
MILIMETERS
MIN MAX
0.75 0.85
0.00 0.05
0.27 0.37
0.12 0.22
2.90 3.10
2.30 2.50
0.65
2.70 2.90
0.10 0.30
0.10 0.30
0.19 0.39
0.19 0.39
MIN
0.030
0.000
0.011
0.005
0.114
0.091
0.106
0.004
0.004
0.007
0.007
INCHES
0.026
MAX
0.033
0.002
0.015
0.009
0.122
0.098
0.114
0.012
0.012
0.015
0.015
x
y
-
-
0.10
0.10
-
-
0.004
0.004
DIM
MILIMETERS
MIN MAX
MIN
INCHES
MAX
b2
e1
l1
l2
-
-
-
2.41
0.47
0.49
0.49
-
-
-
0.095
0.019
0.019
0.019
Dimension in mm / inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
11/11
2012.12 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
| QSB34 | PHOTODIODE GULL WING SMD |
| QSB363CYR | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
| QSB363GR | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| QSC112CC6R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS8K51TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:QS8K51TR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 |
| QS8M11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET |
| QS8M11TCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/3A 8-PIN TSMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QS8M12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET |
| QS8M12TCR | 功能描述:MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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