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参数资料
| 型号： | QS8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS8K2TRDKR QS8K2TRDKR-ND |
QS8K2
l Electrical characteristic curves
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
1000
V GS = 2.5V
Pulsed
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
1000
Data Sheet
100
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
100
C iss
C oss
C rss
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
10
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
100
Drain Current : I D [A]
Fig.19 Switching Characteristics
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
1000
100
t f
t d(off)
T a =25oC
V DD = 15V
V GS = 4.5V
R G =10 W
Pulsed
5
4
3
2
10
t r
t d(on)
1
T a =25oC
V DD = 15V
I D = 3.5A
R G =10 W
Pulsed
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
Drain Current : I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.12 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS8K51TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:QS8K51TR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 |
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| QS8M12TCR | 功能描述:MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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