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参数资料
| 型号： | QS8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS8K2TRDKR QS8K2TRDKR-ND |
QS8K2
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
3.5
Data Sheet
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
V GS = 10.0V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
T a =25oC
Pulsed
V GS = 1.5V
3
2.5
2
1.5
1
V GS = 10.0V
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
T a =25oC
Pulsed
V GS = 1.5V
0.5
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
60
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
10
40
20
V GS = 0V
I D = 1mA
Pulsed
1
0.1
0.01
V DS = 10V
Pulsed
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
1
2
3
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Gate - Source Voltage : V GS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/11
2012.12 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS8K51TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:QS8K51TR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 |
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| QS8M12TCR | 功能描述:MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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