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参数资料
| 型号： | QS8K2TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS8K2TRDKR QS8K2TRDKR-ND |
QS8K2
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
83.3
227
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C) ,unless otherwise specified
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
30
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D =1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
30
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 12V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D =1mA
referenced to 25°C
-
-
0.5
-
-
-
-
- 2.3
1
? 10
1.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =4.5V, I D =3.5A
-
38
54
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5
V GS =4.0V, I D =3.5A
V GS =2.5V, I D =3.5A
-
-
40
55
56
77
m W
V GS =4.5V, I D =3.5A, T j =125°C
-
68
95
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS =10V, I D =3.5A
-
3
8
7
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.12 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS8K51TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:QS8K51TR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 |
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