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参数资料
| 型号： | RB521S30,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 235K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8471-6 |
 RB521S30_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 4 of 12 NXP Semiconductors RB521S30 200 mA low VF MEGA Schottky barrier recti?er FR4 PCB, standard footprint Fig 1. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values 006aab710 tp (s) 1 10?3 102 103 10 1 10?2 10?1 102 10 103 Zth(j-a) (K/W) duty cycle = 1 0.75 0.5 0.33 0.25 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 006aab711 tp (s) 1 10?3 102 103 10 1 10?2 10?1 102 10 103 Zth(j-a) (K/W) duty cycle = 1 0.75 0.5 0.33 0.25 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB521S30T1 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB521S30-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB521S30-AU_R1_000A1 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB521S30-AU_R2_000A1 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| RB521S-30C2 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Small Signal Schottky diode |
| RB521S30-CC2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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