参数资料
型号: RB521S30,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 8/12页
文件大小: 235K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 500mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 10V
电容@ Vr, F: 25pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 标准包装
其它名称: 568-8471-6
RB521S30_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 5 of 12
NXP Semiconductors
RB521S30
200 mA low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
300
μs;
δ≤0.02.
Table 7. Characteristics
Tj
=25°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
[1]
IF= 0.1 mA - 130 190 mV
IF= 1 mA - 190 250 mV
IF= 10 mA - 255 300 mV
IF= 100 mA - 355 410 mV
IF= 200 mA - 420 500 mV
IR
reverse current VR= 10 V - 2.5 30μA
Cd
diode capacitancef = 1 MHz; VR=1V - 2025pF
(1) Tj
= 150
°C
(2) Tj
= 125
°C
(3) Tj
=85°C
(4) Tj=25°C
(5) Tj=?40°C
(1) Tj= 125°C
(2) Tj=85°C
(3) Tj=25°C
(4) Tj=?40°C
Fig 3. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 4. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
006aab712
10?2
10?3
1
10?1
10
IF
(A)
10?4
VF
(V)
0.0 1.00.2
0.4 0.6
0.8
(1)
(2)
(3)(4)
(5)
006aab713
VR
(V)
03010
20
10?2
IR
(A)
10?3
10?4
10?5
10?6
10?7
10?8
10?9
(1)
(2)
(3)
(4)
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