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参数资料
| 型号： | RDD020N60TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RDD020N60
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 100
Unit
nA
Conditions
V GS = ? 30V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
600
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
I DSS
V GS (th)
R DS (on) *
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
-
2.5
-
0.5
-
-
-
-
-
-
5.1
-
175
25
3
17
100
4.7
6.5
-
-
-
-
-
? A
V
?
S
pF
pF
pF
ns
V DS =600V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
I D =1A, V GS =10V
V DS =10V, I D =1A
V DS =25V
V GS =0V
f=1MHz
V DD 300V, I D =1A
Rise time
t r
*
-
14
-
ns
V GS =10V
Turn-off delay time
t d(off) *
-
25
-
ns
R L =300 ?
Fall time
t f
*
-
53
-
ns
R G =10 ?
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q g *
Q gs *
Q gd *
-
-
-
7.0
2.1
3.2
-
-
-
nC
nC
nC
V DD 300V
I D =2A
V GS =10V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.5
Unit
V
Conditions
I S =2.0A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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