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参数资料
| 型号： | RDD020N60TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RDD020N60
Fig.13 Reverse Recovery Time vs. Source Current
1000
Data Sheet
Fig.14 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
10
T a =25 ℃
V gs =0V
di/dt=100A/μs
Pulsed
1
T a =25 ℃
Single Pulse
100
0.1
10
0.01
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
Rth (ch-a) =44.5 ℃ /W
Rth (ch-a) (t)=r(t) × Rth (ch-a)
1
0.1
1
10
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
10
Source Current : I S [A]
Fig.15 Maximum Safe Operating Area
T a =25 ℃
Single Pulse
Pulse width : Pw (s)
1
0.1
0.01
Operation in this area
is limited by R DS(on)
(V GS = 10V)
P W = 100μs
P W = 1ms
P W = 10ms
0.001
0.1
1
10
100
1000
Drain-Source Voltage : V DS [ V ]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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