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参数资料
| 型号： | RDD020N60TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RDD020N60
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Data Sheet
Fig.8 Source Current vs. Source-Drain Voltage
10
1
0.1
V DS =10V
pulsed
T a =125 ℃
T a = 75 ℃
T a = 25 ℃
T a = - 25 ℃
10
1
0.1
V GS =0V
pulsed
T a =125 ℃
T a = 75 ℃
T a = 25 ℃
T a = - 25 ℃
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
Drain Current : I D [A]
Fig.9 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
18
1000
Source-Drain Voltage : V SD [V]
Fig.10 Switching Characteristics
16
14
T a =25 ℃
pulsed
t f
V DD =300V
V GS =10V
R G =10Ω
T a =25 ℃
Pulsed
12
10
8
6
I D =2A
100
10
t d(off)
4
I D =1A
t r
t d(on)
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0.1
1
10
12
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
10000
Drain Current : I D [A]
Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
10
T a =25 ℃
V DD =300V
I D =2A
Pulsed
1000
T a =25 ℃
f=1MHz
V GS =0V
8
6
100
C iss
C oss
4
10
2
C rss
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
Total Gate Charge : Q g [nC]
Drain-Source Voltage : V DS [V]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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