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参数资料
| 型号： | RDD020N60TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RDD020N60
? Electrical characteristic curves (Ta=25 ? C)
Fig.1 Typical Output Characteristics ( Ⅰ )
2
2
Data Sheet
Fig.2 Typical Output Characteristics ( Ⅱ )
T a =25 ℃
pulsed
V GS =10.0V
V GS =5.5V
T a =25 ℃
pulsed
1.5
V GS =8.0V
V GS =6.0V
1.5
V GS =10.0V
V GS =8.0V
V GS =6.0V
V GS =5.5V
1
V GS =5.0V
1
V GS =5.0V
0.5
V GS =4.0V
0.5
V GS =4.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
5
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.4 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
1
0.1
0.01
V DS =10V
pulsed
T a =125 ℃
T a = 75 ℃
T a = 25 ℃
T a = - 25 ℃
4
3
V DS =10V
I D =1mA
pulsed
2
0.001
0.0001
0.00001
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
100
V GS =10V
pulsed
10
1
T a =125 ℃
T a = 75 ℃
T a = 25 ℃
T a = - 25 ℃
0.1
Channel Temperature : T ch [ ℃ ]
Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Channel Temperature
15
V GS =10V
pulsed
I D =2A
10
I D =1A
5
0.01
0.01
0.1
1
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Drain Current : I D [A]
Channel Temperature : Tch [ ℃ ]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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