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参数资料
| 型号： | RDD020N60TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RDD020N60
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
V DS
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
V GS
I AS
V DS
V (BR)DSS
R G
D.U.T.
L
V DD
V DD
I AS
E AS =
1
2
L I AS
2
V (BR)DSS
V (BR)DSS - V DD
Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit
Fig.3-2 Avalanche Waveform
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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参数描述 |
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