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参数资料
| 型号： | RFP50N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 131W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
RFP50N06
Typical Performance Curves
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Unless Otherwise Speci?ed
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50 75 100 125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
1
0.5
0.2
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
NOTES:
t 1
t 2
0.01 -5
10
SINGLE PULSE
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 0 10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
400
T J = MAX RATED
SINGLE PULSE
T C = 25 o C
10 3
FOR TEMPERATURES ABOVE 25 o C
DERATE PEAK CURRENT
CAPABILITY AS FOLLOWS:
100
I = I 25 ? ------------------------ ?
100 μ s
V GS = 20V
? 175 – T C ?
? ?
10
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
V DSS(MAX) = 60V
1ms
10ms
100ms
DC
10 2
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
1
1
10
100
40
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
10 4
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
t, PULSE WIDTH (ms)
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
RFP50N06 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFRXD0920-I/LQ | MODULE RCVR 868/915MHZ ASK/FSK |
| RHK005N03T146 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
| RHP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RHP030N03T100 | MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89 |
| RI-TRP-WEHP-30 | RFID GLASS TRANSP R/W 80BIT 23MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP50N06 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| RFP50N06_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-CH POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP50N06LE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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