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参数资料
| 型号： | RFP50N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 131W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
RFP50N06
Typical Performance Curves Unless Otherwise Speci?ed
(Continued)
4000
60
10
3000
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
C OSS = C DS + C GD
45
V DD = BV DSS
V DD = BV DSS
7.5
C ISS
2000
30
0.75 BV DSS
0.75 BV DSS
5.0
1000
C OSS
15
0.50 BV DSS
0.25 BV DSS
R L = 1.2 ?
0.50 BV DSS
0.25 BV DSS
2.5
C RSS
I g(REF) = 1.45mA
V GS = 10V
0
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
0
20
I g(REF)
I g(ACT)
t, TIME ( μ s)
80
I g(REF)
I g(ACT)
0
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
t ON
t OFF
V DS
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
V GS
R L
DUT
+
-
V DD
0
10%
90%
10%
R GS
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 17. SWITCHING WAVEFORMS
RFP50N06 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFRXD0920-I/LQ | MODULE RCVR 868/915MHZ ASK/FSK |
| RHK005N03T146 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
| RHP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RHP030N03T100 | MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89 |
| RI-TRP-WEHP-30 | RFID GLASS TRANSP R/W 80BIT 23MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP50N06 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| RFP50N06_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-CH POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP50N06LE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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