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参数资料
| 型号： | RFP50N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 131W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
RFP50N06
Test Circuits and Waveforms
V DS
(Continued)
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(10)
Q g(TOT)
V GS = 20V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
V GS = 10V
Q g(TH)
I g(REF)
0
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFP50N06 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFRXD0920-I/LQ | MODULE RCVR 868/915MHZ ASK/FSK |
| RHK005N03T146 | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
| RHP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RHP030N03T100 | MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89 |
| RI-TRP-WEHP-30 | RFID GLASS TRANSP R/W 80BIT 23MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP50N06 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| RFP50N06_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-CH POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP50N06LE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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