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参数资料
| 型号： | RFP50N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 131W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
RFP50N06
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT RFP50N06 2 1 3
REV 2/22/93
* NOM TEMP = 25 o C
CA 12 8 3.68e-9
CB 15 14 3.625e-9
CIN 6 8 1.98e-9
5
DRAIN
DBODY 7 5 DBDMOD
10
2
DBREAK 5 11DBKMOD
-
DPLCAP
RDRAIN
LDRAIN
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 64.59
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTO 20 6 18 8 1
GATE
1
LGATE
9 20
RGATE
ESG
EVTO
18
8
+
-
6
8
6
RIN
-
16
VTO
CIN
21
MOS1
DBREAK
MOS2
11
EBREAK
17
18
+
-
DBODY
IT 8 17 1
8
RSOURCE
7
LSOURCE
3
S1A
S2A
SOURCE
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 5.65e-9
12
13
8
14
13
15
17
RBREAK
18
LSOURCE 3 7 4.13e-9
S1B
S2B
RVTO
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
CA
13
CB
IT
19
EGS
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
+
6
- 8
EDS
+
-
5
8
14
-
VBAT
+
RDRAIN 5 16 RDSMOD 1e-4
RGATE 9 20 0.690
RIN 6 8 1e9
RSOURCE 8 7 RDSMOD 12e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 0.678
.MODEL DBDMOD D (IS=9.85e-13 RS=4.91e-3 TRS1=2.07e-3 TRS2=2.51e-7 CJO=2.05e-9 TT=4.33e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS=1.98e-1 TRS1=2.35E-4 TRS2=-3.83e-6)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=1.42e-9 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD NMOS (VTO=3.65 KP=35 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=1.23e-3 TC2=-2.34e-7)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=5.01e-3 TC2=1.49e-5)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-5.03e-3 TC2=-5.16e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6.75 VOFF=-2.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.5 VOFF=-6.75)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.7 VOFF=2.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=2.3 VOFF=-2.7)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature
Options; authors, William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RFP50N06 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFP50N06 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| RFP50N06_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFP50N06_Q | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-CH POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFP50N06LE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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