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参数资料
| 型号： | RJK03E2DNS-00#J5 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 12.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK03E2DNS-00#J5DKR |
RJK03E2DNS
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
20
100
Preliminary
Maximum Safe Operation Area
1m
s
15
10
10
1
PW = 10 ms
Operation in
this area is
5
0.1 limited by R DS(on)
Tc = 25 °C
0.01 1 shot Pulse
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
20
Case Temperature Tc (°C)
Typical Output Characteristics
20
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Transfer Characteristics
16
4.5 V 3.1 V
10 V
Pulse Test
2.9 V
16
V DS = 5 V
Pulse Test
12
12
8
2.7 V
8
4
V GS = 2.5 V
4
Tc = 75°C
25°C
–25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Drain to Source Voltage V DS (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage V GS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
400
300
200
Pulse Test
100
30
10
Pulse Test
V GS = 4.5 V
10 V
100
I D = 10 A
5A
3
0
4
8
12
16
2A
20
1
1
3
10
30
100
Gate to Source Voltage V GS (V)
R07DS0658EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
Drain Current I D (A)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RJK03E3DNS-00-J5 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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