- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > RJK03E2DNS-00#J5 (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RJK03E2DNS-00#J5 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 12.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK03E2DNS-00#J5DKR |
RJK03E2DNS
Package Dimensions
Preliminary
Package Name
HWSON-8
JEITA Package Code
P-HWSON8-2.9x3.1-0.65
3.3 ± 0.1
RENESAS Code
PWSN0008JB-A
Previous Code
?
0.8 Max
MASS[Typ.]
0.022g
2.27 ± 0.2
(2.55)
0.575 Typ
0.65 Typ
0.22 Typ
0.32 ± 0.08
3.1 ± 0.1
Ordering Information
Orderable Part Number
RJK03E2DNS-00-J5 5000 pcs
Quantity
Taping
Shipping Container
Note:
The symbol of 2nd "-" is occasionally presented as "#".
R07DS0658EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
Page 6 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJK6025DPD-00#J2 | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| RJP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RL3004-6.56-59-D1 | THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C |
| RL4504-3.28-59-D1 | THERMISTOR NTC 5 OHM @ 25C |
| RMW130N03TB | MOSF N CH 30V 13A PSOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RJK03E3DNS | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E3DNS-00-J5 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E3DNS-WS#J5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RJK03E4DPA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching |
| RJK03E4DPA_13 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。