- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > RJK03E2DNS-00#J5 (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RJK03E2DNS-00#J5 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 8A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 12.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK03E2DNS-00#J5DKR |
RJK03E2DNS
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
40
Pulse Test
32
10000
3000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Preliminary
24
1000
Ciss
16
V GS = 4.5 V
I D = 2 A, 5 A, 10 A
300
100
Coss
8
0
10 V
2 A, 5 A, 10 A
30
10
0
V GS = 0
f = 1 MHz
Crss
–25
0
25
50
75
100 125 150
10
20
30
Case Temperature Tc (°C)
Dynamic Input Characteristics
Drain to Source Voltage V DS (V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
I D = 16 A
20
16
20
16
10 V
5V
Pulse Test
V GS
30
20
V DS
V DD = 25 V
10 V
12
8
12
8
10
V DD = 25 V
4
4
V GS = 0, –5 V
10 V
0
0
5
10
15
20
0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
8
6
4
2
0
Gate Charge Qg (nc)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Source to Drain Voltage V SD (V)
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (°C)
R07DS0658EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
Page 4 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJK6025DPD-00#J2 | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| RJP020N06T100 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| RL3004-6.56-59-D1 | THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C |
| RL4504-3.28-59-D1 | THERMISTOR NTC 5 OHM @ 25C |
| RMW130N03TB | MOSF N CH 30V 13A PSOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RJK03E3DNS | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E3DNS-00-J5 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E3DNS-WS#J5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RJK03E4DPA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching |
| RJK03E4DPA_13 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。