参数资料
型号: RJK03E2DNS-00#J5
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 8A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1540pF @ 10V
功率 - 最大: 12.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-HWSON(3.3x3.3)
包装: 标准包装
其它名称: RJK03E2DNS-00#J5DKR
RJK03E2DNS
3
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Preliminary
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.0 1
0.
t o p
1s
0.03
2
0
h
ul
se
P DM
PW
T
D=
PW
T
0.01
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
V DS
L
E AR =
1
2
L ? I AP2 ?
V DSS
V DSS – V DD
Monitor
I AP
Monitor
I AP
V (BR)DSS
Rg
D. U. T
V DD
V DS
I D
Vin
15 V
Switching Time Test Circuit
0
V DD
Switching Time Waveform
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
90%
Rg
Vin
R L
V DS
Vin
Vout
10%
10%
10%
10 V
= 10 V
90%
90%
R07DS0658EJ0300 Rev.3.00
td(on)
tr
td(off)
tf
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Feb 01, 2012
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