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参数资料
| 型号： | RSD050N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSD050N06TLDKR |
RSD050N06
? Electrical characteristics (T a =25°C)
DataSheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
60
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
1.0
-
-
1
3.0
? A
V
V DS =60V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
-
78
94
100
109
131
140
I D =5.0A, V GS =10V
m ? I D =5.0A, V GS =4.5V
I D =5.0A, V GS =4.0V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
290
90
35
8
17
26
8
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I D =5.0A, V DS =10V
V DS =10V
V GS =0V
f=1MHz
I D =2.5A, V DD 30V
V GS =10V
R L =12 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g *
-
8.0
-
nC
V DD
30V
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs *
Q gd *
-
-
1.4
1.4
-
-
nC
nC
I D =5.0A
V GS =10V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (T a =25°C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I s =5.0A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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