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参数资料
| 型号： | RSD050N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSD050N06TLDKR |
RSD050N06
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
10
V DS =10V
pulsed
10
1
V DS =10V
pulsed
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
DataSheet
1
0.1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
0.1
0.01
0.001
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
0.0001
0.01
0.00001
0.01
0.1
1
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
Drain Current : I D [A]
Fif.9 Source Current vs. Source-Drain Voltage
V GS =0V
pulsed
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
1000
T a =25 ° C
pulsed
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
500
0
I D =2.5A
I D =5.0A
0.0
0.5
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1000
Source-Drain Voltage : V SD [V]
Fig.11 Switching Characteristics
12
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
100
10
t d(off)
t f
t d(on)
V DD ≒ 30V
V GS =10V
R G =10 ?
T a =25 ° C
Pulsed
10
8
6
4
T a =25 ° C
V DD =30V
I D =5A
Pulsed
2
t r
1
0
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
www.rohm.com
Drain Current : I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.02 - Rev.B
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PDF描述 |
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