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参数资料
| 型号： | RSD050N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSD050N06TLDKR |
RSD050N06
DataSheet
? Measurement circuits
Pulse width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
V DS
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
Q gs
Q g
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
www.rohm.com
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
6/6
2014.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSD200N10TL | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
| RSE002P03TL | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 |
| RSF014N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 |
| RSH070P05TB1 | MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 |
| RSQ015N06TR | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSD050N10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RSD050N10TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5A 3-PIN(2+TAB) CPT - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET RSD050N10TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A CPT3 |
| RSD-051.8 | 制造商:RECOM 制造商全称:Recom International Power 功能描述:1 Watt SMD Single & Dual Output |
| RSD-051.8HP | 制造商:RECOM 制造商全称:Recom International Power 功能描述:1 Watt SMD Single & Dual Output |
| RSD-051.8P | 制造商:RECOM 制造商全称:Recom International Power 功能描述:1 Watt SMD Single & Dual Output |
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