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参数资料
| 型号： | RSD050N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 5A SOT428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSD050N06TLDKR |
RSD050N06
? Electrical characteristic curves (Ta=25 ? C)
Fig.1 Typical Output Characteristics ( Ⅰ )
15.0
T a =25 ° C
pulsed
12.5
V GS =10.0V
15.0
12.5
DataSheet
Fig.2 Typical Output Characteristics ( Ⅱ )
T a =25 ° C
pulsed
V GS =10.0V
V GS =4.5V
10.0
V GS =4.5V
10.0
V GS =4.0V
V GS =4.0V
7.5
5.0
V GS =3.5V
7.5
5.0
V GS =3.5V
2.5
0.0
2.5
0.0
V GS =3.0V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
1000
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.3 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
T a =25 ° C
pulsed
V GS =4.0V
V GS =4.5V
V GS =10V
1000
100
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
V GS =10V
pulsed
100
10
10
1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
1000
V GS =4.5V
pulsed
100
1000
100
Drain Current : I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
V GS =4.0V
pulsed
10
1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
10
1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a =-25 ° C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
www.rohm.com
Drain Current : I D [A]
Drain Current : I D [A]
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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