参数资料
型号: S71PL032J80BAW074
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封装: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56
文件页数: 176/188页
文件大小: 5078K
代理商: S71PL032J80BAW074
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May 21, 2004 S29PL127_064_032J_00_A1
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
87
Prelimin ary
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Table 25. Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
60
65
70
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during
toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
10
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
40
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
tWHWH1 Programming Operation (Note 2)
Typ
6
s
tWHWH1
tWHWH1 Accelerated Programming Operation (Note 2)
Typ
4
s
tWHWH2
tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tRB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
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PDF描述
S71PL032JA0BAW074 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S71PL032JA0BFW0F4 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
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S29AL016D70BAI022 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
S29AL016D70TAN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
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参数描述
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