参数资料
型号: S71PL032J80BAW074
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封装: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56
文件页数: 58/188页
文件大小: 5078K
代理商: S71PL032J80BAW074
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152
SRAM
SRAM_Type01_02A0 June 15, 2004
Prelimin ary
AC Operating Conditions
Test Conditions
Test Load and Test Input/Output Reference
Input pulse level: 0.4 to 2.2V
Input rising and falling time: 5ns
Input and output reference voltage: 1.5V
Output load (See Figure 72): CL= 30pF+1TTL
Notes:
1. Including scope and jig capacitance.
2. R1=3070, R2=3150.
3. VTM =2.8V.
AC Characteristics
Read/Write Characteristics (VCC=2.7-3.3V)
Figure 72. AC Output Load
Parameter List
Symbol
Speed Bins
Units
70ns
Min
Max
Re
ad
Read cycle time
tRC
70
-
ns
Address access time
tAA
-
70
ns
Chip select to output
tCO1, tCO2
-
70
ns
Output enable to valid output
tOE
-
35
ns
LB#, UB# Access Time
tBA
-
70
ns
Chip select to low-Z output
tLZ1, tLZ2
10
-
ns
LB#, UB# enable to low-Z output
tBLZ
10
-
ns
Output enable to low-Z output
tOLZ
5
-
ns
Chip disable to high-Z output
tHZ1, tHZ2
0
25
ns
UB#, LB# disable to high-Z output
tBHZ
0
25
ns
Output disable to high-Z output
tOHZ
0
25
ns
Output hold from address change
tOH
10
-
ns
VTM (note 3)
R1 (note 2)
CL (note 1)
R2 (note 2)
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PDF描述
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