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参数资料
| 型号： | S71PL032J80BAW074 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封装： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56 |
| 文件页数： | 34/188页 |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL032J80BAW074 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页当前第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页
130
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A0 May 4, 2004
Prelimin ary
AC Characteristics (Under Recommended Operating Conditions Unless
Otherwise Noted)
Read Operation
Notes:
1. Maximum value is applicable if CE#1 is kept at Low without change of address input of A3 to A21. If needed by system
operation, please contact local Spansion representative for the relaxation of 1s limitation.
2. Address should not be changed within minimum tRC.
3. The output load 50pF.
4. The output load 5pF.
Parameter
Symbol
16M
32M
64M
Unit
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle Time
tRC
70
1000
65
1000
65
1000
ns
1, 2
CE1# Access Time
tCE
—
60
—
65
—
65
ns
3
OE# Access Time
tOE
—
40
—
40
—
40
ns
3
Address Access Time
tAA
—
60
—
65
—
65
ns
3, 5
LB# / UB# Access Time
tBA
—
30
—
30
—
30
ns
3
Page Address Access Time
tPAA
N/A
—
20
—
20
ns
3,6
Page Read Cycle Time
tPRC
N/A
20
1000
20
1000
ns
1, 6, 7
Output Data Hold Time
tOH
5
—
5
—
5
—
ns
3
CE1# Low to Output Low-Z
tCLZ
5
—
5
—
5
—
ns
4
OE# Low to Output Low-Z
tOLZ
0
—
0
—
0
—
ns
4
LB# / UB# Low to Output
Low-Z
tBLZ
0
—
0
—
0
—
ns
4
CE1# High to Output High-Z
tCHZ
—
20
—
20
—
20
ns
3
OE# High to Output High-Z
tOHZ
—
20
—
15
—
20
ns
3
LB# / UB# High to Output
High-Z
tBHZ
—
20
—
20
—
20
ns
3
Address Setup Time to CE1#
Low
tASC
-5
—
–5
—
–5
—
ns
Address Setup Time to OE#
Low
tASO
10
—
10
—
10
—
ns
Address Invalid Time
tAX
—
10
—
10
—
10
ns
5, 8
Address Hold Time from CE1#
High
tCHAH
-6
—
–6
—
–6
—
ns
9
Address Hold Time from OE#
High
tOHAH
-6
—
–6
—
–6
—
ns
WE# High to OE# Low Time
for Read
tWHOL
10
1000
12
—
12
—
ns
10
CE1# High Pulse Width
tCP
10
—
12
—
12
—
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JA0BAW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
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| S29AL016D70BAI022 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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